台湾の科技新報が、次期iPhoneとなるiPhone6s（仮称）は、「LPDDR4」規格の2GBメモリを搭載する見通しだと報じました。
高速化、低消費電力化を実現
LPDDR4規格は、iPhone6/6 Plusに搭載されているメモリの規格「LPDDR3」とは異なり、2チャネルアーキテクチャを採用しています。信号伝送の距離を短くすることで電力を削減、フットプリントの増加も最小限に抑え、高速化と低消費電力化を実現しています。
また現行のiPhone6/6 Plusが搭載するメモリ容量が1GBであるのに対し、iPhone6sでは2GBになると科技新報は伝えています。
サプライチェーンからの情報によると、Samsung、SK hynix、Micron-Elpidaが、iPhone6s向けにLPDDR4メモリを供給する説が有力のようです。2013年末には、SK hynix、SamsungらがLPDDR4規格によるメモリの開発を発表しています。
デュアルレンズとForce Touch技術も搭載？
また先日、iPhone Maniaでもお伝えしましたが、科技新報もまた、iPhone6sはデュアルレンズの一眼レフ並みの画質のカメラと、AppleがApple Watchに採用している「Force Touch」技術（軽く触れる動作と強く押す動作を区別する技術）を搭載すると伝えています。
参照元 : 科技新報、MacRumors、http://iphone-mania.jp/news-59200/
